生成对抗网络-【氮化镓】利用Ga2O3缓冲层改善SiC衬底AlN/GaN/AlGaN HEMT器件性能
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Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。
本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究,特
原创 周杰伦 8个月前 阅读: 256 阅读时长: 6分钟